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10:NECが新しいDRAMの内部高速化手法を新開発

Apple殿。こんなDRAMをMacにも載せてくださいませ。

これにより、CPU-DRAM間のデータ通信速度を高速化できます。

ラムバスDRAMやシンクロナスDRAM(SDRAM)では、DRAM-ICの入出力の転送速度を高速化したんですが、DRAM内部の記憶部とI/O部間にチャネルと呼ばれる一時記憶部を設けてあります。これにより、「読み出し・書き込み動作をしている間に、あらかじめ、次に必要なデータを別のチャンネルに準備しておく」という動作で、並行処理が可能となり、これまでより早くアクセスが出来る事のようです。これまでのDRAMはセンスアンプの数だけ読み出し、この中を切り替えて高速入出力していたんですが、たぶん、このセンスアンプ分のデータを、全部別のバッファーを用意し、それに対してR/Wなどして、その間に次のアドレスの読み出しなどするように働くんだと思います。(間違ってるかもしれませんが)


平成9年11月18日 日本電気株式会社

パソコン性能を大幅に向上する新メモリ技術の開発について

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NECはこのたび、既存の設計を変更することなしにパソコンやワークステーションなどのマルチメディア機器のシステム性能を20%、グラフィクス性能を2倍に改善できる新メモリ・アーキテクチャとして、「バーチャル・チャネル・メモリ(Virtual Channel Memory、以下VCM)」を開発いたしました。

マルチメディアの進展、CPUの高速化に対応した、より高性能なメモリが求められており、NECではこれらの要求に応えるため、ラムバスDRAMやシンクロナスDRAM(SDRAM)等の高速メモリの開発および量産化を他社に先駆け進めてまいりました。

これらのメモリは、インタフェース等を工夫することにより、従来のメモリに比べ、最大データ転送速度に関して大幅な高速化を達成しています。

しかし、メモリ内部構造(メモリコア)は従来と大きく変わってはおらず、読み出し・書き込み動作時の待ち時間(レイテンシ)や内部動作の時間(プリチャージ時間や リフレッシュ時間等)が存在するため、最大データ転送速度に対し、平均的な転送速度の改善が困難であり、システム性能を十分に得ることができませんでした。

今回、NECはこれらの問題を解決するために、メモリセルと入出力端子の間に複数の一時記憶領域(チャネル)を設けることにより、データ入出力動作の高速化を実現いたしました。

この新構造により、読み出し・書き込み動作をしている間に、あらかじめ、次に必要なデータを別のチャンネルに準備しておく事が可能になり、大幅に転送効率を向上させることができます。

これは、クロック周波数を倍にすること以上に値する画期的な技術であります。

この新技術は、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、ラムバスDRAM、フラッシュ・メモリ、マスクROM等、各種のメモリに容易に適用が可能であります。

このVCMコア技術により、マルチメディアPCや、ワークステーション、インターネットサーバー、ゲーム、ネットワーク機器等の広い応用範囲で装置の性能を大幅に向上させることが可能であり、今後、パソコンのメインメモリ含め全てのメモリがこれに置き換わり、メモリのデファクトスタンダードになるものと考えております。

2000年初頭には、NECのメモリ新製品の大半がVCMコア技術を採用した製品となる見込みであります。

NECは、VCMコア技術を採用した最初の製品として64Mビット・バーチャル・チャネルSDRAMを開発しており、平成10年4月からサンプル出荷を開始する予定であります。

現在開発中の64Mビット・バーチャル・チャネルSDRAMの主な特長は、以下の通りであります。

(1) 16チャネル(各チャネルのサイズは1024ビット)のVCMアーキテクチャを採用し、最大143MHz、CL=2での高速かつ効率の良いデータ転送が可能。

(2) 標準のSDRAMと同一のパッケージ(54ピンTSOPU)、同一のピン配置、同一インターフェース(LVTTL、SSTL_3)を採用。

メモリコントローラが対 応していれば、置き換えによるアップグレードが可能。

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64Mビット・バーチャル・チャネルSDRAMの主な仕様

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1.構成

「μPD4565421G5」シリーズ

8Mワードx4ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、LVTTL)

「μPD4565821G5」シリーズ

4Mワードx8ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、LVTTL)

「μPD4565161G5 シリーズ

2Mワードx16ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、LVTTL)

「μPD4565422G5」シリーズ

8Mワードx4ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、SSTL_3)

「μPD4565822G5」シリーズ

4Mワードx8ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、SSTL_3)

「μPD4565162G5」シリーズ

2Mワードx16ビットx2バンク (1024ビット×16チャンネル、SSTL_3)

2.プロセス 0.28μm CMOS微細加工技術

3.外形 0.8mmピッチ 54ピン TSOPタイプU

4.電源電圧 3.3V±0.3V

5.インターフェース LVTTL/SSTL_3

6.最大動作周波数

143MHz(−A70グレード)

125MHz(−A80グレード)

100MHz(−A10グレード)

[Copyright(C) NEC Corporation 1997. NEC and C&C are trademarks of NEC Corporation.]

 


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